Transistor a canale N 2SK3667, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 30A. Marcatura sulla cassa: K3667. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 50 ns. Td(spento): 150 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25