Transistor a canale N 2SK2662, 5A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.35 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 780pF. Costo): 200pF. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Funzione: High Speed Switching, Zener-Protected. Id(imp): 20A. Marcatura sulla cassa: K2662. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 60 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo (TT-MOS V). Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31