Transistor a canale N STP5NK60ZFP, 3.6A, 5A, 50uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Transistor a canale N STP5NK60ZFP, 3.6A, 5A, 50uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.62€
5-24
1.42€
25-49
1.27€
50-99
1.15€
100+
0.99€
Quantità in magazzino: 84

Transistor a canale N STP5NK60ZFP, 3.6A, 5A, 50uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 690pF. Costo): 90pF. Diodo Trr (min.): 485 ns. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. ID (min): 1uA. Id(imp): 20A. Marcatura sulla cassa: P5NK60ZFP. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: -55°C...+150°C. Td(acceso): 16 ns. Td(spento): 36ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+ °C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24

Documentazione tecnica (PDF)
STP5NK60ZFP
32 parametri
ID (T=100°C)
3.6A
ID (T=25°C)
5A
Idss (massimo)
50uA
Rds sulla resistenza attiva
1.2 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220FP
Voltaggio Vds(max)
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
690pF
Costo)
90pF
Diodo Trr (min.)
485 ns
Funzione
Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener
ID (min)
1uA
Id(imp)
20A
Marcatura sulla cassa
P5NK60ZFP
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
25W
Protezione GS
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
-55°C...+150°C
Td(acceso)
16 ns
Td(spento)
36ns
Tecnologia
SuperMESH Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+ °C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4.5V
Vgs(esimo) min.
3V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics