Transistor a canale N 2SK2632LS, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V

Transistor a canale N 2SK2632LS, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
4.00€
5-9
3.68€
10-24
3.43€
25-49
3.24€
50+
2.88€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 2

Transistor a canale N 2SK2632LS, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V. ID (T=100°C): 1.3A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 1mV. Rds sulla resistenza attiva: 3.6 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FI-LS. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 550pF. Costo): 150pF. Diodo al germanio: no. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching Applications. ID (min): -. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 15 ns. Td(spento): 45 ns. Tecnologia: V-MOS (F). Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 5.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.5V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Sanyo. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31

Documentazione tecnica (PDF)
2SK2632LS
24 parametri
ID (T=100°C)
1.3A
ID (T=25°C)
2.5A
Idss (massimo)
1mV
Rds sulla resistenza attiva
3.6 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220FI-LS
Voltaggio Vds(max)
800V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
550pF
Costo)
150pF
Diodo al germanio
no
Funzione
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Pd (dissipazione di potenza, massima)
25W
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
15 ns
Td(spento)
45 ns
Tecnologia
V-MOS (F)
Tensione gate/sorgente (spenta) max.
5.5V
Tensione gate/source (spenta) min.
3.5V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Sanyo

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