Transistor a canale N STP4NB80FP, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 700pF. Costo): 95pF. Diodo Trr (min.): 600 ns. ID (min): 1uA. Id(imp): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 12 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24