Transistor a canale N 2SK1529, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 1mA. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 180V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 700pF. Costo): 150pF. Funzione: Applicazione dell amplificatore ad alta potenza. ID (min): -. Marcatura sulla cassa: K1529. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: no. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SJ200. Tecnologia: Tipo MOS a canale N in silicio a effetto di campo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.8V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 14/11/2025, 01:03