Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - 2SK1117

Transistor a canale N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - 2SK1117
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Transistor a canale N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - 2SK1117. Transistor a canale N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 300uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1400pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 24A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 8.5 ns. Td(acceso): 4 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 02:25.

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IRFBC40

IRFBC40

Transistor a canale N, 3.9A, 6.2A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 3.9A. ID ...
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Transistor a canale N, 3.9A, 6.2A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1300pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 25A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V
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Transistor a canale N, 3.9A, 6.2A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1300pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 25A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V
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