Transistor a canale N, 1.4A, 2.7A, 2.7A, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V - 0505-001247
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.90€ | 4.76€ |
| 5 - 9 | 3.71€ | 4.53€ |
| 10 - 24 | 3.51€ | 4.28€ |
| 25 - 49 | 3.32€ | 4.05€ |
| 50 - 99 | 3.24€ | 3.95€ |
| 100 - 249 | 3.16€ | 3.86€ |
| 250+ | 3.05€ | 3.72€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.90€ | 4.76€ |
| 5 - 9 | 3.71€ | 4.53€ |
| 10 - 24 | 3.51€ | 4.28€ |
| 25 - 49 | 3.32€ | 4.05€ |
| 50 - 99 | 3.24€ | 3.95€ |
| 100 - 249 | 3.16€ | 3.86€ |
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Transistor a canale N, 1.4A, 2.7A, 2.7A, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V - 0505-001247. Transistor a canale N, 1.4A, 2.7A, 2.7A, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (massimo): 2.7A. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: MOS-N-FET. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Quantità in stock aggiornata il 19/04/2025, 23:25.
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Transistor a canale N, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 140pF. Costo): 53pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 10A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS
Transistor a canale N, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 140pF. Costo): 53pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 10A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS
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