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Toshiba

Toshiba RN1409 Transistor NPN con Resistenza 50V 0.1A 0.2W SOT-23

Riferimento prodotto : RN1409
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Descrizione tecnica del prodotto (RN1409):

Transistor NPN+R RN1409 di Toshiba. Tensione collettore-emettitore Vceo: 50V. Corrente di collettore Ic: 0.1A. Dissipazione di potenza Pd: 0.2W. Resistenza di base Rb: 47K. Resistenza base-emettitore Rbe: 22K. Materiale semiconduttore: Si. C (out): 100 pF. Montaggio: a montaggio superficiale (SMD). Contenitore: SOT-23 (TO-236). Quantità per confezione: 1 pz. Funzione: DTR. Codice SMD: XJ.