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Toshiba 2SK943 MOSFET di Potenza Canale N 60V 25A 0.046 Ohm

Riferimento prodotto : 2SK943
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Descrizione tecnica del prodotto (2SK943):

Toshiba 2SK943 MOSFET di potenza a canale N. Tensione massima Drain-Source Vds(max): 60V. Corrente di dispersione Drain-Source massima Idss: 25A. Corrente di Drain Id (T=25°C): 25A. Corrente di Drain Id (T=100°C): 12A. Resistenza di conduzione Rds On: 0.046 Ohm. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: transistor MOSFET a canale N. Tecnologia: V-MOS. Quantità per contenitore: 1. Dissipazione di potenza massima: 40W.