Toshiba 2SK3936 MOSFET di Potenza Canale N 500V 23A TO-3PN

Descrizione tecnica del prodotto (2SK3936):

MOSFET di potenza a canale N Toshiba 2SK3936. Tensione massima Drain-Source Vds(max): 500V. Corrente di dispersione Drain-Source massima Idss: 500uA. Corrente di Drain Id (T=25°C): 23A. Resistenza di conduzione Rds On: 0.20 Ohm. Contenitore (secondo scheda tecnica): TO-3P. Contenitore: TO-3PN (2-16C1B). Conforme RoHS: sì. Numero di connessioni: 3. Montaggio/installazione: montaggio a foro passante per circuito stampato. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: regolatore switching. Tecnologia: tipo MOS a effetto di campo (MACH-II-MOS VI). Protezione Gate-Source: sì. Tempo di ritardo di spegnimento Td(off): 80 ns. Tempo di ritardo di accensione Td(on): 45 ns. Quantità per contenitore: 1. Corrente di Drain impulsiva Id(imp): 92A. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacità di ingresso C(in): 4250pF. Capacità di uscita C(out): 420pF. Tempo di recupero inverso del diodo Trr (Min.): 380 ns. Dissipazione di potenza massima: 150W. Protezione Drain-Source: diodo. Tensione Gate-Source Vgs: 30V. Tensione Gate-Emitter VGE(th)max.: 4V. Temperatura: +150°C.