Toshiba 2SK3878 MOSFET Canale N 900V 9A TO-3P

Descrizione tecnica del prodotto (2SK3878):

Tensione Vds(max): 900V. Idss (max): 100uA. ID (T=25°C): 9A. ID (T=100°C): 5.3A. Resistenza di conduzione Rds On: 1 Ohm. Contenitore (secondo scheda tecnica): TO-3P. Contenitore: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). RoHS: sì. Temperatura operativa: -55...+150°C. Info specifiche: Vth=2.0 a 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Numero di terminali: 3. Montaggio/installazione: Montaggio a foro passante per PCB. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni per regolatori di commutazione. Protezione G-S: sì. Td(off): 120ns. IDss (min): 1uA. Td(on): 65 ns. Quantità per contenitore: 1. Id(imp): 27A. Marcatura sul contenitore: K3878. Vgs(th) min.: 2V. C(in): 2200pF. C(out): 45pF. Trr Diodo (Min.): 1.4us. Pd (Dissipazione di potenza, max): 150W. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Tensione gate/source Vgs: 30 V. Vgs(th) max.: 4 V. Unità di condizionamento: 25