Toshiba 2SK2039 MOSFET V-MOS Canale N, 900V, 5A, Contenitore TO-3PN

Descrizione tecnica del prodotto (2SK2039):

Tensione Vds(max): 900V. Idss (max): 300uA. ID (T=25°C): 5A. ID (T=100°C): 3A. Resistenza di conduzione Rds On: 1,9 Ohm. Contenitore (secondo datasheet): TO-3PN. Contenitore: TO-3PN (2-16C1B). RoHS: sì. Numero di terminali: 3. Montaggio/installazione: Montaggio a foro passante su PCB. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alta velocità. Tecnologia: V-MOS. Temperatura max: +150°C. Protezione G-S: no. Td(off): 210 ns. Td(on): 70 ns. Quantità per confezione: 1. Id(imp): 15A. Vgs(th) min.: 1,5V. C(in): 690pF. C(oss): 120pF. Trr Diodo (Min.): 1450 ns. Pd (Dissipazione di potenza, Max): 150W. Protezione drain-source: diodo. Tensione gate/source Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 3,5V.