STMicroelectronics STW18NM80 MOSFET di Potenza Canale N 800V 17A TO-247

Descrizione tecnica del prodotto (STW18NM80):

Tensione Vds massima: 800V. Idss massimo: 100nA. Id (T=25°C): 17A. Id (T=100°C): 10.71A. Resistenza di conduzione Rds On: 0.25 Ohms. Contenitore (secondo datasheet): TO-247. Contenitore: TO-247. RoHS: sì. Info specifiche: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Numero di connessioni: 3. Montaggio/installazione: montaggio a foro passante per circuito stampato. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Tecnologia: MDmesh PowerMOSFET. Protezione G-S: no. Idss minimo: 10nA. Quantità per contenitore: 1. Id(imp): 68A. Marcatura sul contenitore: 18NM80. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 1630pF. C (out): 750pF. Dissipazione di potenza massima: 190W. Confezionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Tensione gate/source Vgs: 30V. Temperatura: +150°C. Unità di confezionamento: 30.