Stmicroelectronics STP20NM60FD MOSFET di Potenza FDmesh™ Canale N, 600V, 20A, 0,26 Ohm Rds(on), TO-2

Descrizione tecnica del prodotto (STP20NM60FD):

MOSFET di Potenza FDmesh™ Canale N con tecnologia a diodo veloce. Tensione massima drain-source Vds 600V, corrente di drain continua ID 20A (a 25°C) e resistenza di conduzione Rds(on) 0,26 Ohm. Contenitore TO-220AB per montaggio a foro passante su PCB. Caratteristiche: bassa capacità di gate e una dissipazione di potenza massima di 192W. Conforme RoHS. Temperatura operativa fino a +150°C.