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Semiconduttori Transistor Coppia di transistor MOSFET N-P

Transistor MOSFET SP8M3

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5 - 9 1.94€ 2.37€
10 - 24 1.84€ 2.24€
25 - 49 1.74€ 2.12€
50 - 99 1.70€ 2.07€
100 - 249 1.49€ 1.82€
250 - 462 1.42€ 1.73€
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Transistor MOSFET SP8M3. Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 06:25.

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Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Marcatura sulla cassa: F7319. Numero di terminali: 8:1. Pd (...
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Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Marcatura sulla cassa: F7319. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P-HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Nota: ( = P23AF 4532 SMD ). Nota: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms
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Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Marcatura sulla cassa: F7319. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P-HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Nota: ( = P23AF 4532 SMD ). Nota: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms
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Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2)
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Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2)
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Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Spec info: 0.029 Ohms & 0.058 Ohms
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Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Spec info: 0.029 Ohms & 0.058 Ohms
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