RHRP8120, TO-220, 8A, 100A, TO-220AC, 1200V

RHRP8120, TO-220, 8A, 100A, TO-220AC, 1200V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.39€
5-24
2.10€
25-49
1.86€
50-99
1.67€
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RHRP8120, TO-220, 8A, 100A, TO-220AC, 1200V. Alloggiamento: TO-220. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: tubus. Corrente di impulso max.: 100A. Diodo Trr (min.): 55 ns. Do: 25pF. Guida corrente: 16A. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Diodo iperveloce. Numero di terminali: 2. Potenza: 75W. Proprietà del semiconduttore: commutazione ultra-veloce. Quantità per scatola: 1. RM (max): 500uA. RM (min): 100uA. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz). Spessore del dissipatore: max 1.4mm. Struttura a semiconduttore: diodo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 3.2V. Tensione diretta Vf (min): 2.6V. Tensione massima inversa: 1.2kV. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 22:14

Documentazione tecnica (PDF)
RHRP8120
30 parametri
Alloggiamento
TO-220
Corrente diretta (AV)
8A
IFSM
100A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AC
VRRM
1200V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
tubus
Corrente di impulso max.
100A
Diodo Trr (min.)
55 ns
Do
25pF
Guida corrente
16A
Materiale semiconduttore
silicio
Nota
Diodo iperveloce
Numero di terminali
2
Potenza
75W
Proprietà del semiconduttore
commutazione ultra-veloce
Quantità per scatola
1
RM (max)
500uA
RM (min)
100uA
RoHS
Spec info
Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz)
Spessore del dissipatore
max 1.4mm
Struttura a semiconduttore
diodo
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-65...+175°C
Tensione di soglia Vf (max)
3.2V
Tensione diretta Vf (min)
2.6V
Tensione massima inversa
1.2kV
Tipo di diodo
diodo raddrizzatore
Prodotto originale del produttore
Fairchild