Power MOSFET Canale N Fuji Electric 2SK3530-01MR, 800V, 7A, 1.46 Ohm, Contenitore TO-220F

Descrizione tecnica del prodotto (2SK3530-01MR):

Tensione Drain-Source Vds(max): 800V. Corrente di dispersione Drain-Source Idss(max): 250uA. Corrente di Drain continua Id (T=25°C): 7A. Corrente di Drain continua Id (T=100°C): 7A. Resistenza On-State Rds(On): 1.46 Ohm. Contenitore (secondo datasheet): TO-220F. Contenitore: TO-220FP. Conforme RoHS: Sì. Numero di pin: 3. Tipo di montaggio: Through-hole. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatore a commutazione (SMPS). Tecnologia: Serie Super FAP-G POWER MOSFET. Protezione Gate-Source: No. Tempo di ritardo di spegnimento Td(off): 40 ns. Corrente di dispersione Drain-Source Idss(min): 25uA. Tempo di ritardo di accensione Td(on): 21 ns. Quantità per contenitore: 1. Corrente di Drain impulsiva Id(imp): 28A. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) min.: 3V. Capacità di ingresso C(in): 740pF. Capacità di uscita C(out): 105pF. Tempo di recupero inverso del diodo Trr (Min.): 2.3 ns. Dissipazione di potenza massima: 70W. Protezione Drain-Source: Sì. Tensione Gate-Source Vgs: 30V. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) max.: 5V.