P1000M, R-6, 10A, 10A, 400A, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V. Alloggiamento: R-6. Corrente diretta (AV): 10A. Corrente raddrizzata media per diodo: 10A. IFSM: 400A. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: Ammo Pack. Configurazione del diodo: indipendente. Corrente di dispersione inversa: 25uA / 1000V. Corrente di impulso max.: 400A. Corrente di perdita: 10uA. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Do: 70pF. Guida corrente: 80A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura sulla cassa: P1000M. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RM (max): -. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Serie: P1000. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Struttura a semiconduttore: diodo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tempo di reazione: 1.5us. Tempo di recupero inverso (max): 1500ns. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 1.05V. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione di soglia: 1.05V. Tensione diretta (massima): <0.9V / 5A. Tensione diretta Vf (min): 0.9V. Tensione massima inversa: 1kV. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Tipo di montaggio: THT. Prodotto originale del produttore: Diotec Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:27