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ON Semiconductor TIG056BF-1E IGBT Canale N 430V 240A TO-220FP

Riferimento prodotto : TIG056BF-1E
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Descrizione tecnica del prodotto (TIG056BF-1E):

Tensione collettore/emettitore Vceo: 430V. Contenitore (secondo datasheet): TO-220F-3FS. Contenitore: TO-220FP. Diodo al Germanio: Soppressore. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Varie: flash, controllo stroboscopico. Info specifiche: High speed fall time--tf=270nS (typ). Diodo CE: no. Numero di connessioni: 3. Montaggio/installazione: montaggio a foro passante per circuito stampato. Tipo di canale: N. Funzione: Bassa tensione di saturazione, commutazione ad altissima velocità. Tecnologia: Enhancement type. Td(off): 140 ns. Td(on): 46 ns. Tensione di saturazione VCE(sat): 3.6V. Ic(puls): 240A. C (in): 5500pF. Tensione gate - emettitore VGE: 33V. C (out): 100pF. Dissipazione di potenza massima: 30W. Tensione di saturazione massima VCE(sat): 5V. Tensione gate - emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Tensione gate - emettitore VGE(th) max.: 5V. Corrente di collettore: 240A.