Esaurito
Hitachi
MOSFET Canale N Hitachi 2SK1296, 60V, 30A, 0.028 Ohm, Contenitore TO-220
Riferimento prodotto : 2SK1296
Sconti per quantità: risparmia quando acquisti
| Quantità | Prezzo unitario | Salva |
|---|---|---|
| 1+Miglior prezzo | 11.96 € | — |
Descrizione tecnica del prodotto (2SK1296):
Tensione Drain-Source Vds(max): 60V. Corrente di dispersione Drain-Source Idss(max): 30A. Corrente di Drain continua Id (T=25°C): 30A. Corrente di Drain continua Id (T=100°C): 15A. Resistenza On-State Rds(On): 0.028 Ohm. Contenitore (secondo datasheet): TO-220. Contenitore: TO-220. Conforme RoHS: Sì. Caratteristiche speciali: Compatibile con livello logico. Numero di pin: 3. Tipo di montaggio: Through-hole. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: MOSFET Canale N. Tecnologia: V-MOS. Quantità per contenitore: 1. Dissipazione di potenza massima: 75W.