MOSFET Canale N Fuji Electric 2SK2647, 800V, 4A, 3.19 Ohm, Contenitore TO-220F15

Descrizione tecnica del prodotto (2SK2647):

Tensione Drain-Source Vds(max): 800V. Corrente di dispersione Drain-Source Idss(max): 200uA. Corrente di Drain continua Id (T=25°C): 4A. Corrente di Drain continua Id (T=100°C): 4A. Resistenza On-State Rds(On): 3.19 Ohm. Contenitore (secondo datasheet): TO-220F15. Contenitore: TO-220. Numero di pin: 3. Tipo di montaggio: Through-hole. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Tecnologia: Serie FAP-IIS MOS-FET. Protezione Gate-Source: No. Tempo di ritardo di spegnimento Td(off): 50 ns. Corrente di dispersione Drain-Source Idss(min): 10uA. Tempo di ritardo di accensione Td(on): 20 ns. Quantità per contenitore: 1. Corrente di Drain impulsiva Id(imp): 16A. Marcatura sul contenitore: K2647. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) min.: 3.5V. Capacità di ingresso C(in): 450pF. Capacità di uscita C(out): 75pF. Tempo di recupero inverso del diodo Trr (Min.): 450 ns. Dissipazione di potenza massima: 40W. Protezione Drain-Source: Diodo. Tensione Gate-Source Vgs: 30V. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) max.: 4.5V. Temperatura: +150°C.