MBR1060G, TO-220AC, TO-220AC, 10A

MBR1060G, TO-220AC, TO-220AC, 10A

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MBR1060G, TO-220AC, TO-220AC, 10A. Alloggiamento: TO-220AC. Custodia (standard JEDEC): TO-220AC. Corrente diretta [A]: 10A. Assemblaggio/installazione: THT. Condizionamento: tubus. Confezione: tubus. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 100uA..22mA. Corrente di impulso max.: 150A. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky. Guida corrente: 20A. Ifsm [A]: 150A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spessore del dissipatore: 1.14...1.39mm. Struttura a semiconduttore: diodo. Temperatura massima: +175°C.. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 60V. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 850mV. Tensione di soglia: 850mV. Tensione massima inversa: 60V. Tipo di diodo: Diodo raddrizzatore Schottky. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: -. [V]: 0.7V @ 10A. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 20:52

Documentazione tecnica (PDF)
MBR1060G
24 parametri
Alloggiamento
TO-220AC
Custodia (standard JEDEC)
TO-220AC
Corrente diretta [A]
10A
Assemblaggio/installazione
THT
Condizionamento
tubus
Confezione
tubus
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]
100uA..22mA
Corrente di impulso max.
150A
Famiglia di componenti
Diodo raddrizzatore Schottky
Guida corrente
20A
Ifsm [A]
150A
Numero di terminali
2
RoHS
Spessore del dissipatore
1.14...1.39mm
Struttura a semiconduttore
diodo
Temperatura massima
+175°C.
Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]
60V
Tensione di conduzione (tensione di soglia)
850mV
Tensione di soglia
850mV
Tensione massima inversa
60V
Tipo di diodo
Diodo raddrizzatore Schottky
[V]
0.7V @ 10A
Prodotto originale del produttore
Onsemi