IRFB4229

IRFB4229. C(in): 4560pF. Costo): 390pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 190 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Amplificatore audio in classe D 300W-500W (mezzo ponte). Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Rds sulla resistenza attiva: 38m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio Vds(max): 250V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.