IRF5210S

IRF5210S. C(in): 2860pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 170 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 38A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 50uA. Marcatura sulla cassa: F5210S. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.8W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.