International Rectifier IRFB23N15D MOSFET di Potenza HEXFET Canale N 150V 23A 0.09 Ohm TO-220

Descrizione tecnica del prodotto (IRFB23N15D):

Tensione Vds(max): 150V. Idss (max): 250uA. Id (T=25°C): 23A. Id (T=100°C): 17A. Resistenza di conduzione Rds On: 0.09 Ohm. Contenitore (secondo datasheet): TO-220AB. Contenitore: TO-220. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Numero di connessioni: 3. Montaggio/installazione: montaggio a foro passante per circuito stampato. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori DC-DC ad alta frequenza. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Protezione G-S: no. Td(off): 18 ns. Idss (min): 25uA. Td(on): 10 ns. Quantità per contenitore: 1. Id(imp): 92A. Marcatura sul contenitore: B23N15D. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 1200pF. C (out): 260pF. Trr Diodo (Min.): 150 ns. Dissipazione di potenza massima: 136W. Confezionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Tensione gate/source Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 5.5V. Unità di confezionamento: 50.