International Rectifier IRF450 MOSFET di Potenza HEXFET Canale N 500V 12A 0.4 Ohm TO-3

Descrizione tecnica del prodotto (IRF450):

Tensione Vds(max): 500V. Idss (max): 250uA. Id (T=25°C): 12A. Id (T=100°C): 7.75A. Resistenza di conduzione Rds On: 0.4 Ohm. Contenitore (secondo datasheet): TO-3 (TO-204A). Contenitore: TO-3 (TO-204). RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Numero di connessioni: 2. Montaggio/installazione: montaggio a foro passante per circuito stampato. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Repetitive Avalanche Ratings. Tecnologia: transistor HEXFET Power MOSFET. Protezione G-S: no. Td(off): 170 ns. Idss (min): 25uA. Td(on): 35 ns. Quantità per contenitore: 1. Id(imp): 48A. Vgs(th) min.: 2V. C (in): 2700pF. C (out): 600pF. Trr Diodo (Min.): 1600 ns. Dissipazione di potenza massima: 150W. Protezione drain-source: diodo Zener. Tensione gate/source Vgs: 20V.