Infineon SPU04N60C3 MOSFET di Potenza CoolMOS Canale N, 650V, 4.5A, TO-251 (I-Pak)

Descrizione tecnica del prodotto (SPU04N60C3):

Tensione Drain-Source Vds(max): 650V. Corrente di dispersione Drain-Source Idss (max): 50uA. Corrente di Drain Id (T=25°C): 4.5A. Corrente di Drain Id (T=100°C): 2.8A. Resistenza On-State Rds On: 0.85 Ohms. Contenitore (secondo datasheet): TO-251 (I-Pak). Contenitore: TO-251 (I-Pak). Temperatura operativa: -55...+150°C. Numero di connessioni: 3. Montaggio/Installazione: Montaggio a foro passante per PCB. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Carica di gate ultra-bassa, valutazione dv/dt estrema. Tecnologia: Cool Mos. Protezione Gate-Source: no. Tempo di ritardo di spegnimento Td(off): 58.5 ns. Corrente di dispersione Drain-Source Idss (min): 0.5uA. Tempo di ritardo di accensione Td(on): 6 ns. Quantità per contenitore: 1. Corrente di Drain impulsiva Id(imp): 13.5A. Marcatura sul contenitore: 04N60C3. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) min.: 2.1V. Capacità di ingresso C (in): 490pF. Capacità di uscita C (out): 160pF. Tempo di recupero inverso del diodo Trr (Min.): 300 ns. Dissipazione di potenza massima: 50W. Protezione Drain-Source: Diodo Zener. Tensione Gate-Source Vgs: 20V