Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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HER108

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1 - 1 1.26€ 1.54€
2 - 2 1.20€ 1.46€
3 - 4 1.14€ 1.39€
5 - 9 1.07€ 1.31€
10 - 24 1.01€ 1.23€
25 - 49 0.88€ 1.07€
50 - 172 0.82€ 1.00€
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1 - 1 1.26€ 1.54€
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HER108. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 1000V. Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Equivalenti: HER108G. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. Numero di terminali: 2. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 00:25.

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Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Ifsm [A]: 33A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 75 ns. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.7V @ 1A
UF4007
Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Ifsm [A]: 33A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 75 ns. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.7V @ 1A
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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecn...
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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Ripristino graduale rapido". RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms
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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Ripristino graduale rapido". RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms
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(1.16€ Iva esclusa)
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