GI824
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.43€ | 5.40€ |
| 5 - 9 | 3.66€ | 4.47€ |
| 10 - 24 | 3.47€ | 4.23€ |
| 25 - 37 | 3.28€ | 4.00€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.43€ | 5.40€ |
| 5 - 9 | 3.66€ | 4.47€ |
| 10 - 24 | 3.47€ | 4.23€ |
| 25 - 37 | 3.28€ | 4.00€ |
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GI824. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 400V. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 09:25.
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Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. RM (max): 10uA. RM (min): 220A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. RM (max): 10uA. RM (min): 220A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
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