Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.87€ | 1.06€ |
5 - 9 | 0.82€ | 1.00€ |
10 - 24 | 0.78€ | 0.95€ |
25 - 49 | 0.74€ | 0.90€ |
50 - 87 | 0.72€ | 0.88€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.87€ | 1.06€ |
5 - 9 | 0.82€ | 1.00€ |
10 - 24 | 0.78€ | 0.95€ |
25 - 49 | 0.74€ | 0.90€ |
50 - 87 | 0.72€ | 0.88€ |
KBU8M. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Equivalenti: KBU8M, KBU807. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08x5.08mm. Dimensioni: 21.5x18.3x3.4mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms), IFSM--180Ap (t=10ms). Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 14:25.
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