Fuji Electric 2SK2850 Transistor N-MOSFET, 900V 6A, 1.87 Ohm Rds(on), Contenitore TO-3P, Commutazion

Descrizione tecnica del prodotto (2SK2850):

Tensione Vds(max): 900V. Idss (max): 200uA. ID (T=25°C): 6A. Resistenza di conduzione Rds On: 1.87 Ohm. Contenitore (secondo scheda tecnica): TO-3P. Contenitore: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Temperatura operativa: -...+150°C. Assemblaggio/installazione: Montaggio a foro passante per PCB. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Tecnologia: TT-MOSV. Protezione G-S: no. Td(off): 110 ns. IDss (min): 10uA. Td(on): 20 ns. Quantità per contenitore: 1. Id(imp): 24A. Vgs(th) min.: 2.5V. C(in): 950pF. C(out): 140pF. Trr Diodo (Min.): 900ns. Pd (Dissipazione di potenza, Max): 125W. Protezione drain-source: sì. Tensione gate/source Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 3.5V