Fuji Electric 2SK1217 MOSFET Canale N 900V 8A 1.5 Ohm TO-3PF

Descrizione tecnica del prodotto (2SK1217):

Tensione Vds(max): 900V. Idss (max): 500uA. ID (T=25°C): 8A. Resistenza di conduzione Rds(on): 1.5 Ohm. Contenitore (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Contenitore: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). RoHS: sì. Temperatura operativa: -55...+150°C. Numero di terminali: 3. Montaggio/installazione: Montaggio a foro passante per PCB. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Bassa potenza di pilotaggio, commutazione ad alta velocità. Tecnologia: V-MOS. Protezione G-S: no. Td(off): 300 ns. IDss (min): 10uA. Td(on): 50 ns. Quantità per contenitore: 1. Id(imp): 23A. Vgs(th) min.: 2.5V. C(in): 1400pF. C(out): 200pF. Trr Diodo (Min.): 1000 ns. Pd (Dissipazione di potenza, max): 100W. Protezione drain-source: diodo. Tensione gate/source Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 5V.