FET e MOSFET a canale N

1237 prodotti disponibili nella categoria FET e MOSFET a canale N, tutti di produttori originali, ad esempio Vishay (siliconix), Eupec/infineon, Pmc, Diodes Zetex, Cfcomp, e altri 66 produttori

IXTP6N100D2

Transistor a canale N IXTP6N100D2, TO220-3. Alloggiamento: TO220-3. : -. Assemblaggio/installazione: THT. Confezione: tubus. DRUCE CORRENTE: 6A. Polarità: unipolari. Potenza: 300W. Resistenza allo st...

21.01€

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IXTP90N055T

Transistor a canale N IXTP90N055T, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.066 Ohms. Alloggiamento...

4.11€

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IXTP90N055T2

Transistor a canale N IXTP90N055T2, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. Alloggiamento:...

3.99€

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IXTQ36N30P

Transistor a canale N IXTQ36N30P, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 92m Ohms. ...

9.05€

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IXTQ460P2

Transistor a canale N IXTQ460P2, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 24A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 270 mi...

9.03€

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IXTQ88N30P

Transistor a canale N IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 40m Ohms. Allo...

14.29€

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J107

Transistor a canale N J107, TO-92, 8 Ohms, TO-92, 25V. Alloggiamento: TO-92. Rds sulla resistenza attiva: 8 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 25V. Assemblaggio/instal...

0.32€

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J111

Transistor a canale N J111, 30 Ohms, 35V. Rds sulla resistenza attiva: 30 Ohms. Voltaggio Vds(max): 35V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: Up 10V. ID (min): 20mA....

0.25€

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J112

Transistor a canale N J112, TO-92, 5mA, TO-92 Ammo-Pak, 35V. Alloggiamento: TO-92. Idss (massimo): 5mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 Ammo-Pak. Voltaggio Vds(max): 35V. Assemblaggio/install...

0.46€

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J113

Transistor a canale N J113, 100 Ohms, TO-92, TO-92, 35V. Rds sulla resistenza attiva: 100 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 35V. Assemblaggio/in...

0.53€

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MBQ60T65PES

Transistor a canale N MBQ60T65PES, 60A, TO-247, TO-247, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 650V. Assemblag...

8.32€

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MCH5803

Transistor a canale N MCH5803, 1.4A, 1.4A, 30 v. ID (T=25°C): 1.4A. Idss (massimo): 1.4A. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: 05...

2.21€

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MDF11N60TH

Transistor a canale N MDF11N60TH, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. Alloggiamento:...

3.85€

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MDF11N65B

Transistor a canale N MDF11N65B, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. Alloggiamento: ...

3.12€

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MDF9N50TH

Transistor a canale N MDF9N50TH, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. Alloggiamento: TO-...

2.12€

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MDF9N60TH

Transistor a canale N MDF9N60TH, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.65 Ohms. Alloggiamento: TO...

3.43€

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MLP2N06CL

Transistor a canale N MLP2N06CL, 2A, 6uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 62V. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 6uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda...

2.12€

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MMBF170

Transistor a canale N MMBF170, SOT-23, 60V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A...

0.39€

Quantità in magazzino: 6861

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MMBF170LT1G

Transistor a canale N MMBF170LT1G, SOT-23, TO-236AB, 60V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Assorbimento di corrente attraverso il resisto...

0.27€

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MMBF4392LT1G

Transistor a canale N MMBF4392LT1G, SOT-23, 30 v, 25mA. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: 25mA. Confi...

0.53€

Quantità in magazzino: 2410

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MMBF5458

Transistor a canale N MMBF5458, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (massimo): 9mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds...

0.19€

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MMBFJ201

Transistor a canale N MMBFJ201, 1mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (massimo): 1mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds...

0.30€

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MMBFJ309

Transistor a canale N MMBFJ309, 30mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (massimo): 30mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio V...

0.31€

Quantità in magazzino: 2640

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MMBFJ310

Transistor a canale N MMBFJ310, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (massimo): 60mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio V...

0.30€

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Quantità in magazzino: 809

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