FET e MOSFET a canale N

1237 prodotti disponibili nella categoria FET e MOSFET a canale N, tutti di produttori originali, ad esempio Infineon (irf), Diodes Inc., Samsung, Mitsubishi Electric Semiconductor, Motorola, e altri 66 produttori

BUZ53A

Transistor a canale N BUZ53A, 2.6A, 2.6A, 1000V. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (massimo): 2.6A. Voltaggio Vds(max): 1000V. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 78W. Quantit...

10.40€

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BUZ72A

Transistor a canale N BUZ72A, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. Alloggiamento: TO-...

1.75€

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BUZ73LH

Transistor a canale N BUZ73LH, TO-220AB, 200V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ ...

1.65€

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BUZ74

Transistor a canale N BUZ74, TO-220AB, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V, 500V. Alloggiamento: TO-220AB. ID (T=100°C): 1.5A. Custodia (standard JEDEC): -. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (massimo): 2.4A. Rds s...

1.52€

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BUZ76

Transistor a canale N BUZ76, 2A, 3A, 3A, 1.8 Ohms, 400V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 3A. Rds sulla resistenza attiva: 1.8 Ohms. Voltaggio Vds(max): 400V. Funzione: Transistor ...

3.53€

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BUZ76A

Transistor a canale N BUZ76A, TO-220AB, 400V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 400V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ I...

3.30€

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BUZ77A

Transistor a canale N BUZ77A, 1.7A, 2.7A, 2.7A, 4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (massimo): 2.7A. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. Alloggiamento: TO-220....

2.13€

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BUZ77B

Transistor a canale N BUZ77B, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Alloggiamento: TO-...

2.02€

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BUZ80A

Transistor a canale N BUZ80A, TO220, PG-TO220-3. Alloggiamento: TO220, PG-TO220-3. Assemblaggio/installazione: THT. Condizionamento: tubus. DRUCE CORRENTE: 4A. Polarità: unipolari. Potenza: 63W. Resi...

4.70€

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BUZ80AF

Transistor a canale N BUZ80AF, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.1A. Idss (massimo): 2.1A. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Voltaggio Vds(max): 800V. Funzione: T...

1.22€

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BUZ83

Transistor a canale N BUZ83, 3.2A, 3.2A, 800V. ID (T=25°C): 3.2A. Idss (massimo): 3.2A. Voltaggio Vds(max): 800V. Funzione: V-MOS. Pd (dissipazione di potenza, massima): 78W. Quantità per scatola: 1...

3.74€

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BUZ90

Transistor a canale N BUZ90, 2.8A, 4.5A, 4.5A, 1.6 Ohms, 600V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 4.5A. Rds sulla resistenza attiva: 1.6 Ohms. Voltaggio Vds(max): 600V. Funzione:...

1.79€

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BUZ90A

Transistor a canale N BUZ90A, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 4A. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custo...

1.80€

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BUZ90AF

Transistor a canale N BUZ90AF, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, 600V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 4A. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Voltaggio Vds(max): 600V. Funzione: Transisto...

1.86€

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BUZ91A

Transistor a canale N BUZ91A, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 8A. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio Vds(m...

2.12€

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BUZ91A-INF

Transistor a canale N BUZ91A-INF, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Voltagg...

2.65€

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CEB6030L

Transistor a canale N CEB6030L, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( ...

0.97€

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CM200DY-24H

Transistor a canale N CM200DY-24H, 200A, altro, altro, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Alloggiamento: altro. Custodia (secondo scheda tecnica): altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Assemblag...

267.17€

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CSD17313Q2T

Transistor a canale N CSD17313Q2T, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, Custodia in plastica da 2 mm × 2 mm, 30 v. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.024...0.042 Ohm...

1.89€

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DF600R12IP4D

Transistor a canale N DF600R12IP4D, 600A, altro, altro, 1200V. Ic(T=100°C): 600A. Alloggiamento: altro. Custodia (secondo scheda tecnica): altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Assembla...

457.24€

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DMHC3025LSD-13

Transistor a canale N DMHC3025LSD-13, SO8, 30V/-30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Oh...

1.19€

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ECW20N20

Transistor a canale N ECW20N20, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 10mA. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltag...

23.30€

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ECX10N20

Transistor a canale N ECX10N20, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 200V. Asse...

11.01€

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FCP11N60

Transistor a canale N FCP11N60, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.32 Ohms. Alloggiamento: TO-22...

3.83€

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