Fairchild FQA19N60 MOSFET Canale N 600V 18.5A 0.3 Ohm TO-3PN QFET DMOS

Descrizione tecnica del prodotto (FQA19N60):

Tensione Vds(max): 600V. Idss (max): 100uA. Id (T=25°C): 18.5A. Id (T=100°C): 11.7A. Resistenza di conduzione Rds On: 0.3 Ohm. Contenitore (secondo datasheet): TO-3PN. Contenitore: TO-3PN (2-16C1B). RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Numero di connessioni: 3. Montaggio/installazione: montaggio a foro passante per circuito stampato. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, bassa carica di gate (tipicamente 44nC). Tecnologia: DMOS, QFET. Protezione G-S: no. Td(off): 150 ns. Idss (min): 10uA. Td(on): 65 ns. Quantità per contenitore: 1. Id(imp): 74A. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 2800pF. C (out): 350pF. Trr Diodo (Min.): 420 ns. Dissipazione di potenza massima: 300W. Protezione drain-source: diodo. Tensione gate/source Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 5V.