Eupec/Infineon FS75R12KE3GBOSA1 Modulo IGBT Canale N 1200V 75A 355W
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| 1+Miglior prezzo | 372.95 € | — |
Descrizione tecnica del prodotto (FS75R12KE3GBOSA1):
Tensione collettore/emettitore Vceo: 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Contenitore (secondo datasheet): altro. Contenitore: altro. Diodo al Germanio: no. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Dimensioni: 122x62x17.5mm. Diodo CE: sì. Numero di connessioni: 35. Montaggio/installazione: montaggio a foro passante per circuito stampato. Tipo di canale: N. Funzione: ICRM 150A Tp=1ms. Nota: 6x IGBT+ Diodo CE. Td(off): 42us. Td(on): 26us. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Ic(puls): 150A. Marcatura sul contenitore: FS75R12KE3G. C (in): 5300pF. Tensione gate - emettitore VGE: 20V. Dissipazione di potenza massima: 355W. Tensione di saturazione massima VCE(sat): 2.15V. Tensione gate - emettitore VGE(th) min.: 5.5V. Tensione gate - emettitore VGE(th) max.: 6.5V. Corrente di collettore: 100A.