BYV79E-200, TO-220, 200V, 12.7A, 14A, 150A, TO-220-2. Alloggiamento: TO-220. VRRM: 200V. Corrente diretta (AV): 12.7A. Corrente raddrizzata media per diodo: 14A. IFSM: 150A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Configurazione del diodo: indipendente. Diodo Trr (min.): 20 ns. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. Informazioni: -. MSL: -. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Serie: BYV79. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura: +150°C. Tempo di recupero inverso (max): 30ns. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta (massima): <1.05V / 14A. Tensione diretta Vf (min): 0.83V. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Tipo di montaggio: THT. Prodotto originale del produttore: Nxp Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 22:04