BUZ80AF V-MOSFET Canale N 800V 2.1A 3 Ohm Resistenza di Conduzione

Descrizione tecnica del prodotto (BUZ80AF):

Tensione Vds(max): 800V. Idss (max): 2.1A. ID (T=25°C): 2.1A. ID (T=100°C): 1.5A. Resistenza di conduzione Rds On: 3 Ohm. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor N MOSFET. Tecnologia: V-MOS (F). Nota: <100/220ns. Quantità per confezione: 1. Pd (Dissipazione di Potenza, Max): 40W.