Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

BCP51-16

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25 - 49 0.20€ 0.24€
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BCP51-16. Costo): 15pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 145 MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP51/16. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP54-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 06:25.

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Costo): 25pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP 5316. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP56-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BCP53-16
Costo): 25pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP 5316. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP56-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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