Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BC516

BC516
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BC516. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 3000. Corrente del collettore: 0.4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Spec info: transistor complementare (coppia) BC517. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.

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Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 125 MHz. Guadagno hFE massimo: 2...
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Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 125 MHz. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 5000. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MPSA64
Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 125 MHz. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 5000. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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