Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BC328-25

BC328-25
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25 - 49 0.36€ 0.44€
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BC328-25. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: transistor PNP. Resistenza BE: -30V. C(in): -0.8A. Costo): 0.63W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 160. Corrente del collettore: 0.8A. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 00:25.

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BC327-25

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Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: hF...
BC327-25
Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: hFE 160-400. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 160. Corrente del collettore: 0.8A. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC337-25. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: hFE 160-400. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 160. Corrente del collettore: 0.8A. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC337-25. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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