BAT54ALT1G, SOT-23, 0.2A

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BAT54ALT1G, SOT-23, 0.2A. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Corrente diretta [A]: 0.2A. Assemblaggio/installazione: SMD. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 2uA. Famiglia di componenti: doppio diodo Schottky, montaggio SMD. Guida corrente: 300mA. Ifsm [A]: 0.6A. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 800mV. Tensione di soglia: 800mV. Tensione massima inversa: 30V. Tipo di diodo: Diodo raddrizzatore Schottky. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 14:57

Documentazione tecnica (PDF)
BAT54ALT1G
19 parametri
Alloggiamento
SOT-23
Corrente diretta [A]
0.2A
Assemblaggio/installazione
SMD
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]
2uA
Famiglia di componenti
doppio diodo Schottky, montaggio SMD
Guida corrente
300mA
Ifsm [A]
0.6A
Numero di terminali
3
RoHS
Temperatura massima
+150°C.
Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]
30 v
Tensione di conduzione (tensione di soglia)
800mV
Tensione di soglia
800mV
Tensione massima inversa
30V
Tipo di diodo
Diodo raddrizzatore Schottky
Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]
5 ns
[V]
0.4V @ 10mA
Prodotto originale del produttore
Onsemi