BAS316, 0.5A, 1A, SOD-323, SOD-323, 85V

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BAS316, 0.5A, 1A, SOD-323, SOD-323, 85V. Corrente diretta (AV): 0.5A. IFSM: 1A. Alloggiamento: SOD-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-323. VRRM: 85V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Data di produzione: 2014/22. Diodo Trr (min.): 4 ns. Do: 1.5pF. Funzione: Diodo ad alta velocità. Marcatura sulla cassa: A6. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms). Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.715V. Prodotto originale del produttore: Nxp Semiconductors. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:01

Documentazione tecnica (PDF)
BAS316
22 parametri
Corrente diretta (AV)
0.5A
IFSM
1A
Alloggiamento
SOD-323
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOD-323
VRRM
85V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Data di produzione
2014/22
Diodo Trr (min.)
4 ns
Do
1.5pF
Funzione
Diodo ad alta velocità
Marcatura sulla cassa
A6
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RoHS
sì
Spec info
IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms)
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione di soglia Vf (max)
1.25V
Tensione diretta Vf (min)
0.715V
Prodotto originale del produttore
Nxp Semiconductors
Quantità minima
10