BA157, DO-41, DO-204AC, 1A, 1A, 30A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 400V

BA157, DO-41, DO-204AC, 1A, 1A, 30A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 400V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0360€
50-99
0.0303€
100-499
0.0270€
500+
0.0223€
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BA157, DO-41, DO-204AC, 1A, 1A, 30A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 400V. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Corrente diretta (AV): 1A. Corrente diretta [A]: 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 400V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: Ammo Pack. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..100uA. Corrente di impulso max.: 35A. Diodo Trr (min.): 150 ns. Do: 15pF. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Funzione: commutazione ad alta velocità. Guida corrente: 10A. Ifsm [A]: 40A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Numero di terminali: 2. Proprietà del semiconduttore: commutazione ad alta velocità. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Struttura a semiconduttore: diodo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di reazione: 300ns. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 400V. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 1.3V. Tensione di soglia: 1.3V. Tensione massima inversa: 400V. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 300 ns. [V]: 1.3V @ 1A. Prodotto originale del produttore: Dc Components Co. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:05

Documentazione tecnica (PDF)
BA157
38 parametri
Alloggiamento
DO-41
Custodia (standard JEDEC)
DO-204AC
Corrente diretta (AV)
1A
Corrente diretta [A]
1A
IFSM
30A
Custodia (secondo scheda tecnica)
DO-41 ( 5.2X2.7mm )
VRRM
400V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
Ammo Pack
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]
5uA..100uA
Corrente di impulso max.
35A
Diodo Trr (min.)
150 ns
Do
15pF
Famiglia di componenti
Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns)
Funzione
commutazione ad alta velocità
Guida corrente
10A
Ifsm [A]
40A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Numero di terminali
2
Proprietà del semiconduttore
commutazione ad alta velocità
Quantità per scatola
1
RoHS
Struttura a semiconduttore
diodo
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Temperatura massima
+175°C.
Tempo di reazione
300ns
Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]
400V
Tensione di conduzione (tensione di soglia)
1.3V
Tensione di soglia
1.3V
Tensione massima inversa
400V
Tipo di diodo
diodo raddrizzatore
Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]
300 ns
[V]
1.3V @ 1A
Prodotto originale del produttore
Dc Components Co
Quantità minima
10

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