2N2369A

2N2369A. Resistenza B: sì. Diodo BE: transistor NPN. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-18. Costo): TO-18. Diodo CE: montaggio a foro passante su PCB. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 500 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 0.2A. Ic(impulso): 0.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -60...+200°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 10:25.