1N4151, DO-35 ( SOD27 ), 0.2A, 2A, DO-35, 75V

1N4151, DO-35 ( SOD27 ), 0.2A, 2A, DO-35, 75V

Qnéuantità
Prezzo unitario
25-49
0.0236€
50-99
0.0191€
100-499
0.0163€
500-999
0.0131€
1000+
0.0120€
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1N4151, DO-35 ( SOD27 ), 0.2A, 2A, DO-35, 75V. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 75V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Confezione: Ammo Pack. Corrente di impulso max.: 2A. Diodo Trr (min.): 2 ns. Funzione: diodo di commutazione ultraveloce, Ifsm 1us 2A. Guida corrente: 0.5A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Potenza: 0.5W. Proprietà del semiconduttore: commutazione super veloce. RM (max): 50nA. RoHS: sì. Struttura a semiconduttore: diodo. Temperatura di funzionamento: -50...+200°C. Tempo di reazione: 4ns. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Tensione massima inversa: 75V. Tipo di diodo: diodo di commutazione. Tipo di semiconduttore: diodo. Prodotto originale del produttore: Diotec Semiconductor. Quantità minima: 25. Quantità in stock aggiornata il 12/12/2025, 03:22

Documentazione tecnica (PDF)
1N4151
27 parametri
Alloggiamento
DO-35 ( SOD27 )
Corrente diretta (AV)
0.2A
IFSM
2A
Custodia (secondo scheda tecnica)
DO-35
VRRM
75V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Confezione
Ammo Pack
Corrente di impulso max.
2A
Diodo Trr (min.)
2 ns
Funzione
diodo di commutazione ultraveloce, Ifsm 1us 2A
Guida corrente
0.5A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Potenza
0.5W
Proprietà del semiconduttore
commutazione super veloce
RM (max)
50nA
RoHS
Struttura a semiconduttore
diodo
Temperatura di funzionamento
-50...+200°C
Tempo di reazione
4ns
Tensione di conduzione (tensione di soglia)
1V
Tensione diretta Vf (min)
1V
Tensione massima inversa
75V
Tipo di diodo
diodo di commutazione
Tipo di semiconduttore
diodo
Prodotto originale del produttore
Diotec Semiconductor
Quantità minima
25

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