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-- 2N5116 P-Channel MOSFET 30V 0.006A n/a

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Specifiche tecniche

5 parametri
ParametroValore
Tensione Vdss massima30V
Corrente Id massima0.006A
Resistenza Rds-onn/a
Parametro (Package)n/a

Descrizione tecnica del prodotto (2N5116):

Il 2N5116 è un MOSFET a canale P ad alte prestazioni di -- in un contenitore n/a. Le applicazioni tipiche includono la gestione dell'energia, la commutazione del carico, la protezione della batteria e i convertitori DC-DC. Manufacturer info: Tranzisztor P-FET 30V Ibss>6mA Up<4V 2N5116.