Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

YG911S2

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YG911S2. Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: plastica. Nota: 0402-000491. Nota: 50Ap / 10ms. Quantità in stock aggiornata il 19/04/2025, 23:25.

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ERC90-02

ERC90-02

Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI, S...
ERC90-02
Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI, S
ERC90-02
Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI, S
Set da 1
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MUR860

MUR860

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-...
MUR860
Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: MUR860. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: diodo raddrizzatore per la commutazione dell alimentazione. Spec info: diodo raddrizzatore ultraveloce
MUR860
Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: MUR860. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: diodo raddrizzatore per la commutazione dell alimentazione. Spec info: diodo raddrizzatore ultraveloce
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MUR420

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Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 125A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): D0-...
MUR420
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RHRP860

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Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 16A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-2...
RHRP860
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RHRP860
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FQA13N50CF

FQA13N50CF

Transistor a canale N, 9.5A, 15A, 10uA, 0.43 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=100°...
FQA13N50CF
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FQA13N50CF
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KBU8J

KBU8J

VRRM: 600V. Corrente nominale [A]: 8A. Tensione di picco Urrm [V]: 600V. Corrente di picco Ifsm [A]:...
KBU8J
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KBU8J
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RJP30E4

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Transistor a canale N, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Cu...
RJP30E4
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RJP30E4
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IRF840

IRF840

Transistor a canale N, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 4.8A. ID (...
IRF840
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IRF840
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2.33€ IVA incl.
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FUSE-2-500A-MF

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Corrente continua massima: 2.5A. Voltaggio: 30 v. Passo: 5.1mm. Dimensioni: 12x3mm. RoHS: sì...
FUSE-2-500A-MF
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FUSE-2-500A-MF
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P600M

P600M

RoHS: sì. Famiglia di componenti: diodo raddrizzatore standard. Alloggiamento: saldatura PCB. Allog...
P600M
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P600M
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Quantità in magazzino : 62
BYV26D

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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecn...
BYV26D
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BYV26D
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1.16€ IVA incl.
(0.95€ Iva esclusa)
1.16€
Quantità in magazzino : 212
RFP50N06

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Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 60V, 50A, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V, 50. All...
RFP50N06
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RFP50N06
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