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Yangjie Electronic Technology
Yangjie YJD100G10A N-Power MOSFET 100V 100A TO-252
Riferimento prodotto : YJD100G10A
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Specifiche tecniche
6 parametri| Parametro | Valore |
| Tipo | MOSFET |
| Tensione | 100 V |
| Corrente | 100.0 A |
| Contenitore | TO-252 |
| Resistenza (RDSon) | 0.0065 Ohm |
Descrizione tecnica del prodotto (YJD100G10A):
Lo Yangjie Electronic Technology YJD100G10A è un N-Power MOSFET ad alte prestazioni. Presenta 100V, 100A, Rds < 0.0065 Ohm. È adatto per la gestione dell\'energia, convertitori DC-DC e applicazioni di controllo motore. Incapsulato in un contenitore TO-252.<br><br>